用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法
2020-01-12

用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法

披露了用于使用经单取代的TSA前体形成含硅和氮的膜的ALD方法。这些经单取代的TSA前体具有式:(SiH 3 ) 2 N‑SiH 2 ‑X,其中X是卤素原子或氨基。

●经单取代的TSA前体为(SiH3)2N-SiH2-(OSiMe3);

(SiH3)2-N-SiH2-N(SiH3)(SiH2(OEt))可由(SiH3)2-N-SiH2-N(SiH3)(SiH2X)与乙醇(EtOH)在HCl清除剂(如NEt3或吡啶)存在下的反应合成。

●形成含硅膜的组合物包含在约0ppbw与约500ppbw之间的As;

还披露了使用所披露的形成含硅膜的组合物用于气相沉积法(包括各种CVD和ALD方法)的方法。所披露的方法提供了所披露的形成含硅膜的组合物沉积含硅膜,优选为氮化硅(SiN)膜、氧化硅(SiO)膜及氮掺杂氧化硅膜的用途。所披露的方法可适用于制造半导体、光伏材料、LCD-TFT、平板型装置、耐火材料或航空材料。

●经单取代的TSA前体为(SiH3)2N-SiH2-N(SiH3)2;

通过常规手段(诸如管道和/或流量计)将形成含硅膜的组合物以气相形式递送至反应器中。可经由常规气化步骤(诸如直接气化、蒸馏、鼓泡)、通过使纯净的或共混的组合物溶液气化来产生气相形式的组合物。组合物可以液态进料到气化器中,在那里使其气化,随后将其引入反应器中。气化之前,任选地可以将组合物与一或多种溶剂混合。溶剂可选自下组,该组由以下各项组成:甲苯、乙苯、二甲苯、均三甲苯、癸烷、十二烷、辛烷、己烷、戊烷或其他。所得浓度可在从约0.05M至约2M范围内。

●经单取代的TSA前体为(SiH3)2N-SiH2-(OtBu);

·经单取代的TSA前体为(SiH3)2N-SiH2-NMeiPr;

●经单取代的TSA前体为(SiH3)2-N-SiH2-N(SiH3)(SiH2(NiPr2);